SK keyfoundry推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)工艺
数字隔离器的高击穿电压特性可增强半导体器件的安全性与可靠性,同时延长器件的使用寿命并提升抗噪能力。新型多层厚金属间电介质 (Thick IMD) 工艺支持堆叠最多三层IMD,每层最大厚度达6微米,从而在金属-绝缘体-金属(MIM)结构中,总厚度最高可达到18微
sk 电介质 imd 击穿电压 keyfoundry 2025-09-23 08:16 3
数字隔离器的高击穿电压特性可增强半导体器件的安全性与可靠性,同时延长器件的使用寿命并提升抗噪能力。新型多层厚金属间电介质 (Thick IMD) 工艺支持堆叠最多三层IMD,每层最大厚度达6微米,从而在金属-绝缘体-金属(MIM)结构中,总厚度最高可达到18微
sk 电介质 imd 击穿电压 keyfoundry 2025-09-23 08:16 3
最近充电头网兆联智控的氮化镓BMS电池管理系统方案。该方案采用主控+模拟前端设计,集成了采集、管理、保护和通讯功能,支持蓝牙BLE通信,支持RS485通信,支持CAN通信,支持弱电开关控制,支持LED或者LCD显示模组;满足15S~30S磷酸铁锂电池应用,也可